收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

林理彬  廖志君  祖小涛  王浙辉  
【摘要】:1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4~ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ~ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 王思舫;印建平;温正其;;单纵模半导体激光时间相干性的理论分析与研究[J];苏州大学学报(自然科学版);1991年04期
2 王瑞峰,蔡伯荣,胡渝,洪永和,任文华;利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率[J];中国激光;1998年01期
3 ;[J];;年期
4 ;[J];;年期
5 ;[J];;年期
6 ;[J];;年期
7 ;[J];;年期
8 ;[J];;年期
9 ;[J];;年期
10 ;[J];;年期
11 ;[J];;年期
12 ;[J];;年期
13 ;[J];;年期
14 ;[J];;年期
15 ;[J];;年期
16 ;[J];;年期
17 ;[J];;年期
18 ;[J];;年期
19 ;[J];;年期
20 ;[J];;年期
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978