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Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火

方芳  S.S.Lau  
【摘要】:利用连续Ar~+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd_2Si/GaAs(6.9×10~(17)cm~(-3))接触,得到了比接触电阻率为2.75×10~(-6)Ω·cm~2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接触具有良好的热稳定性。

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