收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

中子辐照单晶硅与激光退火制备SOI结构的研究

王顺  李琼  林成鲁  
【摘要】:正SOI材料在制作高速、抗辐照电路、复合功能器件以及实现三维集成电路等方面有着重要的应用前景.实现SOI结构有多种途径:除蓝宝石外延(SOS)工艺外,还有多晶硅的激光或电子束熔化再结晶、石墨条加热再结晶和在单晶硅中大剂量深注入氧形成隔离层等方法.利用中子辐照使单晶硅损伤,得到了绝缘层衬底,然后以激光退火消除表面层损

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 吴乐琦;半导体的激光退火[J];发光学报;1980年05期
2 许少龙;激光退火产生磁泡[J];激光杂志;1980年02期
3 王阳元,张国柄,徐瑶,李宝环;激光退火对多晶硅结构和电学性能的影响[J];北京大学学报(自然科学版);1982年04期
4 刘世祥,朱美芳,姚德成,石万全;激光退火的机理[J];物理;1983年09期
5 路福荣;离子注入半导体的激光退火[J];激光杂志;1983年02期
6 许振嘉,陈维德;CW CO_2激光退火在硅中产生的氧沾污[J];物理学报;1984年01期
7 石万全,姚德成,刘世祥,朱美芳,贺令渝,陆世勇,刘万忠,王金生;Nd~(3+):YAG连续激光束用于半导体连续激光退火的研究[J];激光杂志;1985年01期
8 范得培;朱兵;陈南斗;;扩硼Si单晶激光退火的研究[J];南京大学学报(自然科学版);1985年01期
9 范得培;朱兵;陈南斗;;扩硼Si单晶激光退火的研究[J];南京大学学报数学半年刊;1985年01期
10 王顺,李琼,林成鲁;中子辐照单晶硅与激光退火制备SOI结构的研究[J];中国激光;1988年11期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 王圣来;房昌水;高樟寿;王波;刘冰;牟晓明;李毅平;孙洵;顾庆天;;KDP晶体的相变温度与晶体的完整性研究[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
中国博士学位论文全文数据库 前7条
1 刘传珍;低温多晶硅材料及其器件的研究[D];中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;2000年
2 李牧菊;高清晰度液晶显示用薄膜晶体管的研制[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2002年
3 陈静;水等离子体离子注入形成SOI结构材料的研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
4 宋朝瑞;AIN、ta-C薄膜制备及其在SOI技术中的应用研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2003年
5 谢欣云;非单一SiO_2埋层的SOI新结构研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2004年
6 林青;SOI器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2004年
7 黄金英;高品质低温多晶硅薄膜晶体管的制作与周边一体化设计[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前5条
1 杜会静;激光烧蚀沉积硅基纳米材料及其特性研究[D];河北大学;2001年
2 孙运涛;纳米碳化硅的脉冲激光烧蚀沉积及其光学特性研究[D];河北大学;2003年
3 易万兵;复合离子注入形成SOI结构及其结构和性能的研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2003年
4 冯健峰;硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究[D];西安电子科技大学;2005年
5 宋琦;Yb:Er共掺Al_2O_3光波导放大器制备工艺及非均匀掺铒光波导理论设计[D];大连理工大学;2005年
中国重要报纸全文数据库 前2条
1 曹其玮;SDC技术突破 OLED产业重燃生机[N];电子资讯时报;2007年
2 陈哲祥 口述 潘素卿 整理;奇晶光电总经理陈哲祥:突破量产门槛 AMOLED魅力iPhone也难挡[N];电子资讯时报;2007年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978