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砷化镓注锡的红宝石脉冲激光退火

吴恒显  刘立人  赵新安  忻尚衡  
【摘要】:正 一、引言 半导体经离子注入后,需经热退火使注入过程引起的晶格损伤得到恢复,同时使注入杂质活化,才能获得良好的电特性。但是热退火有许多的局限性,如高剂量注入所产生的晶格损伤得不到充分恢复,衬底材料的少子寿命与扩散长度会严重下降,对化学稳定性较差的化合物半导体,还会引起分解与

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