砷化镓场效应晶体管的高增益光探测
【摘要】:本文探讨了砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)对于一定频率的调制光强信号的响应。在光通讯所需的频率上能够获得高的交流响应度:对100兆赫可以达到大于6安/瓦,等效噪声功率小于10~(12)瓦/赫兹~(1/2)。频率响应的斜率取决于光偏置功率——一种被认为是俘获所引起的效应。GaAs FET光探测器在低的偏置电压下具有高的响应度,从而可以弥补光通讯中现用的PIN和雪崩光电二极管光探测器的性能之不足。
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