收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

半导体的激光退火

宇飞  
【摘要】:正 对半导体元件的激光退火虽然进行了认真的研究,但还没有使此项技术用到任何生产线上。不过,已导致器件样机的制作,并对它的基础物理学有较多的了解。进一步进展可能导向制作半导体的新途径,使用激光退火消除在掺杂和晶体生长期间产生的缺陷。这些结论来自在11月28日至12月1日

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前19条
1 路福荣;离子注入半导体的激光退火[J];四川激光;1983年02期
2 肖鸿飞,苗俊;半导体进行激光退火时预热温度的计算[J];沈阳工业大学学报;1998年01期
3 路福荣;;半导体激光退火[J];光电子.激光;1984年02期
4 ;激光退火硅材料的照相监测[J];光电子技术与信息;1997年06期
5 郑孝敬;;硅片激光退火后熔融的新进展[J];激光与光电子学进展;1983年03期
6 马谷城;孙寅奇;;半导体的激光退火[J];激光与光电子学进展;1979年09期
7 田晋;延君;;离子注入半导体的激光退火[J];激光与光电子学进展;1979年12期
8 刘尚合,卢武星,姬成周,张通和;砷注入硅的激光退火和热退火特性[J];物理;1980年06期
9 俞誉福;;离子注入和激光退火[J];激光与光电子学进展;1982年07期
10 ;最早的激光退火商用装置[J];半导体光电;1980年02期
11 王阳元,张国柄,徐瑶,李宝环;激光退火对多晶硅结构和电学性能的影响[J];北京大学学报(自然科学版);1982年04期
12 田人和;卢武星;张官南;;脉冲激光退火中分凝效应对杂质分布影响的理论分析[J];北京师范大学学报(自然科学版);1982年03期
13 仲振;;脉冲激光退火动力学[J];激光与光电子学进展;1986年02期
14 刘世杰,S.U.CAMPISANO,E.RIMINI;离子注入GaAs的脉冲激光退火[J];物理学报;1988年05期
15 王青圃,杨旭东,赵圣之,王公堂,程兴奎,岳书彬;掺钇非晶硅薄膜的激光退火[J];激光杂志;1989年01期
16 田晋;;半导体的激光退火[J];激光与光电子学进展;1980年05期
17 戎瑞;;激光退火[J];激光与红外;1980年02期
18 吴恒显,刘立人,赵新安,忻尚衡;砷化镓注锡的红宝石脉冲激光退火[J];激光;1979年11期
19 孙金坛,程国义,王和庆;射频离子辐射损伤的激光退火[J];激光杂志;1985年06期
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 徐二明;梁二军;;非晶硅薄膜激光退火的研究[A];第十四届全国光散射学术会议论文摘要集[C];2007年
2 钟学富;韩和相;;半导体技术中的喇曼散射[A];第二届全国光散射学术会议论文集(下)[C];1983年
中国硕士学位论文全文数据库 前4条
1 赵春志;6H-SiC氮离子辐照效应与激光退火处理研究[D];哈尔滨工业大学;2019年
2 马福帅;微纳器件激光退火工艺的优化和探索[D];山东大学;2019年
3 章阳群;多晶铁酸铋/铁磁薄膜激光退火诱导交换偏置和垂直各向异性的研究[D];南京大学;2016年
4 马学见;离子注入铌酸锂波导的退火研究[D];山东大学;2008年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978