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掺钕、铒石英光纤的研究

顾真安  戴康勤  陈国能  孙明武  
【摘要】:本工作采用溶液掺杂的气相沉积工艺制备钕、铒掺杂石英光纤,进行了掺杂工艺、掺杂浓度,光纤结构和损耗等基础研究,试制的钕光纤吸收带损耗a_(810nm)=5.4×10~4db/Km,发光带损耗a_(1.08)=100db/Km,光纤中Nd~(3+)离子含量约为2700ppm。铒光纤在670nm和1540nm波长处的损耗约为10~4db/Km,Er~(3+)离子浓度约2900ppm。

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