PZT／Si异质结的电特性研究

【摘要】：采用Ｓｏｌ／Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ／Ｓｉ结构，从该结构的极化特性、开关特性和Ｉ－Ｖ特性等方面研究了硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结特性．并以这种效应分析了ＦＲＡＭ电容中铁电薄膜的疲劳机制．

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1	赵建玲;王晓慧;桂治轮;李龙土;;电泳沉积法制备钛酸钡基X7R铁电薄膜[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
2	韦其红;赵振华;付兴华;侯文萍;;退火温度对铁电薄膜钛酸锶钡的影响[A];中国硅酸盐学会陶瓷分会2005学术年会论文专辑[C];2005年
3	樊慧庆;;弛豫型铁电PMNT陶瓷薄膜的溶胶-凝胶制备和电性能研究[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
4	樊慧庆;;弛豫型铁电PMNT陶瓷薄膜的溶胶-凝胶制备和电性能[A];全国第三届溶胶—凝胶科学技术学术会议论文摘要集[C];2004年

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2	刘爽;锆钛酸铅（PZT）陶瓷材料相关技术与应用研究[D];中国科学技术大学;2009年

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6	霍濯宇;铋层状Bi_（1.95）La_（1.05）TiNbO_9铁电陶瓷的光学与电学性能研究[D];河南大学;2011年
7	郑慈航;PZT薄膜的溶胶凝胶法制备及在MEMS中的应用研究[D];上海交通大学;2011年
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