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垂直双扩散结构MOS功率集成电路的设计

刘三清  曹广军  应建华  
【摘要】:提出了一种新型功率集成电路结构的设计方法。通过恰当的版图设计和利用垂直双扩散技术,可以在同一芯片上实现具有效强功率驱动能力的功能电路。这种结构的加工过程同VDMOS完全兼容,关键技术是采用对接双重扩散形成NMOS结构,为实现芯片中NMOS结构与功率器件结构击穿性能的一致性,图形设计时,应将NMOS单元放置在VDMOS器件的中心附近以取代部分VDMOS元胞。通过电路与功率器件的内部连接而形成功率集成电路。

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