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Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究

宋林伟  孔金丞  赵鹏  姜军  李雄军  方东  杨超伟  舒畅  
【摘要】:昆明物理研究所多年来持续开展了Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm~(2)提升到了363Ω·cm~(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm)、640×512(25μm)、640×512(15μm)、1024×768(10μm)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。

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