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InGaAs光电阴极像增强器研究

贾正根  
【摘要】:InGaAs 光电阴极像增强器的光谱为1-0 ~1-3μm 和1-0 ~1-1μm 。对用于像增强器中的InGaAs 光电阴极进行了研究。研究的方法有:光致发光法、微型瑞曼法、扫描俄歇俄法。将InGaAs 像增强器的光谱和标准的第二代和第三代像增强器进行比较。文中还报导了负电子亲和势InGaAs 光电阴极摄像管的性能参数:光谱灵敏度、白光光响应、等效背景照度、信噪比、调制传递函数以及像增强器的性能。对InGaAs 负电子亲和势光电阴极和标准第二代像增强器阴级直接进行比较。最后评价了近红外InGaAs 光电阴极像增强器的先进性。

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