收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT(英文)

刘果果  魏珂  黄俊  刘新宇  牛洁斌  
【摘要】:报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz,最大振荡频率(fmax)为105GHz.采用湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50 GHz,最大振荡频率提高到200 GHz.

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 王水力;朱俊;郝兰众;张鹰;;Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSH结构的制备和性能研究[J];压电与声光;2011年04期
2 ;[J];;年期
3 ;[J];;年期
4 ;[J];;年期
5 ;[J];;年期
6 ;[J];;年期
7 ;[J];;年期
8 ;[J];;年期
9 ;[J];;年期
10 ;[J];;年期
11 ;[J];;年期
12 ;[J];;年期
13 ;[J];;年期
14 ;[J];;年期
15 ;[J];;年期
16 ;[J];;年期
17 ;[J];;年期
18 ;[J];;年期
19 ;[J];;年期
20 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 张小玲;谢雪松;鲁小妹;吕长志;李志国;;AlGaN/GaN HEMT不同纵向结构的直流特性仿真[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年
2 张小玲;李菲;谢雪松;吕长志;李志国;;AlGaN/GaN HEMT不同结构的直流及温度特性仿真[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
3 周建军;张继华;陈堂胜;任春江;焦刚;李忠辉;陈辰;杨传仁;;高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
4 崔晓英;黄云;;HEMT器件2DEG沟道退化相关机理研究[A];中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会论文选[C];2006年
5 吴群;;Ka波段HEMT压控振荡器[A];2001年全国微波毫米波会议论文集[C];2001年
6 孟立峰;;Ku频段宽带HEMT低噪声放大器[A];1997年全国微波会议论文集(上册)[C];1997年
7 董志华;王金延;郝一龙;文正;王阳元;;热氧化Ti膜制备TiO_2-AlGaN/GaN结构的Ⅰ-Ⅴ特性[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
8 胡英;周晓华;徐毓龙;;2DEG密度与Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT结构设计的关系[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
9 汪志刚;张竞;陈万军;;一种NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年
10 欧阳思华;吴锦;李艳奎;刘新宇;;基于Agilent VEE的HEMT器件直流参数自动测试系统[A];第五届中国测试学术会议论文集[C];2008年
中国博士学位论文全文数据库 前3条
1 罗谦;AlGaN/GaN HEMT器件物理模型和关键工艺技术研究[D];电子科技大学;2007年
2 项若飞;硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究[D];华中科技大学;2011年
3 李洪芹;赝配高速电子迁移率晶体管及其微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 唐广;大功率AlGaN/GaN HEMT关键制作工艺的研究[D];清华大学;2004年
2 严地;AlGaN/GaN HEMT击穿特性研究和场板结构优化设计[D];电子科技大学;2008年
3 何寒冰;太赫兹波段AlGaN/GaN共振隧穿二极管研究[D];西安电子科技大学;2012年
4 宋超凡;肖特基浮动金属环对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的性能影响研究[D];山东大学;2011年
5 吕彬义;基于表面势的HEMT模型研究[D];杭州电子科技大学;2010年
6 冷永清;S波段GaN基HEMT内匹配平衡功率放大器研究[D];湖南大学;2009年
7 张滨;C波段低噪声放大器设计[D];西安电子科技大学;2009年
8 赵子奇;GaN基HEMT耐压结构的研究与设计[D];电子科技大学;2007年
9 王言虹;增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT器件的仿真研究[D];西安电子科技大学;2010年
10 姜守高;GaN基HEMT高温特性及热可靠性研究[D];西安电子科技大学;2010年
中国重要报纸全文数据库 前1条
1 西安微电子研究所 谢永桂;加速发展我国化合物半导体技术[N];中国电子报;2001年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978