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离子束刻蚀CdHgTe半导体的方法

俞国良  
【摘要】:正 本专利提出一种用离子束刻蚀CdHgTe半导体材料的方法。图I中的1表示衬底(陶瓷或蓝宝石),用胶层2把Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te半导体层3粘在衬底上。对红外光敏感的半导体薄层厚度为20μm。用刻蚀速率很小的薄层4掩盖住不需要刻蚀的半导体表面部分,几微米厚的光刻胶层或钛层就能满足掩膜的要求,未掩膜的半导体表而部分5被刻蚀到衬底1的深度。将表示在图I中的半导体放入一个离子束刻蚀装置中,最好是用氩离子垂直入射刻蚀半导体表面。在一次成功的实验中,压强为8×10~(-3)乇,电压是700V,刻蚀时间是4小时。在

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