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强流RFQ加速器注入器的研究进展

彭士香  张萌  赵捷  徐蓉  任海涛  吕鹏南  宋执中  于金祥  袁忠喜  郭之虞  
【摘要】:用于中子照相的2MeVRFQ加速器须注入50mA@50keV的脉冲D+离子束,束流占空比为1/10,发射度0.2π·mm·mrad,α=1.93,β=5.16cm/rad。为此,我们建立了两台基于2.45GHz的永磁微波离子源实验台。当微波功率小于450W时,引出氢离子流的总流强大于80mA,质子比好于90%,束流的归一化均方根发射度约为0.2–0.3π·mm·mrad。LEBT(低能束流输运线)实验台使用一个半包围结构螺线管磁透镜,束流传输效率大于80%。为优化源体设计,对源室尺度和放电室内衬材料研究,为源体的优化提供了依据。

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