腔靶内爆区超热电子实验研究
【摘要】：利用１０道滤波荧光谱仪（ＦＦＳ）研究了强激光和薄壁腔靶相互作用时超热电子产生的特征，结合ＧａＡｓ硬Ｘ射线角分布探头、受激喇曼散射光探头、针孔相机的测量结果，分析得出：在内爆腔靶中，超热电子产生在源区，大部分超热电子被静电场和转换体约束在源区，只有小部分能量较高的超热电子进入到内爆区；内爆靶区超热电子总能量占超热电子总能量的约２０％，占入射激光能量的１％—２％。
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郑永铭，王明达，卓志云，陆晓明，孙祚科，周兰;系列柱形薄壁腔靶制备工艺研究[J];强激光与粒子束;1994年04期 |
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宋向阳,韩申生,张令清,邵雯雯,徐至展;ICF快点火概念中超热电子的能量输运[J];中国激光;1997年12期 |
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李三伟,祁兰英,梅启庸,杨向东,唐道源;腔靶内爆区超热电子实验研究[J];核聚变与等离子体物理;1998年03期 |
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祁兰英,蒋小华,赵雪薇,李三伟,张文海,李朝光,郑志坚,丁永坤;短波长激光超热电子产生与抑制机理的研究[J];物理学报;2000年03期 |
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陈黎明,张杰,梁天骄,李玉同,王龙,江文勉;超短脉冲强激光与固体靶相互作用产生超热电子的能谱研究[J];物理学报;2000年03期 |
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