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掺硅类金刚石薄膜的制备及其微观机械性能研究

王智  
【摘要】:采用射频感应耦合离子源(ICP)在硅基底上沉积了DLC薄膜,并利用离子束溅射固体单晶石墨的方法掺入Si元素。通过原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱对DLC薄膜的表面形貌及结构进行了分析表征。并用UTM-2摩擦磨损试验仪对薄膜进行了刻划测试,通过临界载荷的对比,分析了掺硅和纯DLC薄膜与基底的结合能力。结果表明,掺硅DLC薄膜具有良好的膜-基结合能力。

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1 王智;;射频感应耦合化学气相沉积类金刚石薄膜的摩擦性能研究[J];河北化工;2011年07期
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