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具有高比电容的纳米Ni-MOF/GO的制备及赝电容特性研究

孙杨  程子洋  魏居媛  李欣雨  方静怡  汪美芳  
【摘要】:以不同温度和不同制备时间作为实验条件,采用溶剂热法制备了1#、2#、3#三类Ni-MOF材料。然后,将MOF材料中的3#和氧化石墨烯(GO)等多孔碳材料复合,测得其具有优异的电化学性能。3#在50mA/g时的比电容达700F/g,在500mA/g通过100次循环后仍有电容为222F/g,可保持3#器件初始电容的58.9%以上。3#/GO在500mA/g时表现出412F/g的高质量比电容,并且在100次循环后,保持其初始电容的72%以上。该器件的最大能量密度和最大功率密度分别为11.58Wh/kg和46.32W/kg。通过X射线衍射、X射线光电子能谱技术、比表面积和氮气吸脱附、红外光谱和扫描电子显微镜等测试,证实了GO能显著地改善MOF赝电容的电化学性能。

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