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三氟化硼纯化技术研究进展

张卫江  李波  徐姣  王楠楠  
【摘要】:三氟化硼气体是半导体离子注入的重要离子掺杂源。为了达到电子级气体纯度的要求,三氟化硼气体的纯化技术研究具有重要意义。文中对三氟化硼气体的纯化工艺技术,即冷阱法、低温精馏法、选择性吸附法、化学转化法和多种工艺耦合联用进行了对比,分析各种工艺的优缺点:冷阱法操作简便,成本低,但纯度不够;低温精馏法分离效果好,但能耗大,操作条件要求比较严格;选择性吸附和化学转化法操作简易,设备安全,但吸附剂性能不太稳定,吸附效率有待提高。结合高丰度三氟化硼气体的纯化除杂背景,重点介绍选择吸附与低温精馏耦合联用工艺,纯化后的三氟化硼气体纯度可以达到99.995%。提出冷阱、物理吸附、化学转化以及精馏结合的方法,得到的高纯气体可以应用于电子工业领域。

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