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g-C_3N_4/Bi_2S_3复合材料宽光谱光电探测器制备及其性能研究

方向明  容萍  任帅  王兆阳  高世勇  王金忠  
【摘要】:通过热聚法制备了g-C_3N_4和Bi_2S_3纳米材料,在室温下进一步利用溶液法得到了g-C_3N_4/Bi_2S_3复合结构。采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的表面形貌和晶体结构进行了表征,结果表明复合Bi_2S_3后并没有破坏g-C_3N_4本身的片层结构,且g-C_3N_4/Bi_2S_3复合结构仍然具有较好的结晶质量。基于g-C_3N_4/Bi_2S_3复合结构制备了紫外可见光探测器,并对其性能进行了研究。光电探测结果表明g-C_3N_4/Bi_2S_3复合结构探测器对紫外光的探测性能显著提高,其最大光电流约为g-C_3N_4纳米片探测器的12倍。此外,g-C_3N_4/Bi_2S复合结构探测器在可见光区也表现出了较好的光响应特性和稳定性,具有宽光谱响应特性。

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