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高压合成La填充型CoSb_3方钴矿热电材料及其电输运性能

姜一平  贾晓鹏  马红安  宿太超  董楠  邓乐  
【摘要】:采用高温高压手段,在压力3.5 GPa、温度900 K的条件下,成功合成出La填充型方钴矿热电材料LaxCo4Sb12(0x≤1.0),系统地研究了样品的晶体结构和电输运性能随填充分数x的变化关系。研究结果表明:在最大填充分数x为0~1.0的范围内,随着La填充分数的增加,样品的晶胞常数稍有增大,晶体结构仍为典型的方钴矿结构,没有La杂质相出现。室温下样品的电输运性能测试结果表明:La填充型方钴矿为p型半导体;样品的电阻率和Seebeck系数随La含量的增加均呈现出先增加后逐渐降低的趋势;当填充分数x为0.3时,样品的Seebeck系数和电阻率均达到了最大值;功率因子在x=0.5时达到了最大值。

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