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P型Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的制备及性质研究

赵宇  江洪超  武莉莉  冯良桓  曾广根  王文武  张静全  李卫  
【摘要】:采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化。结果表明掺Cu 10%的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级;掺铜20%的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整;掺铜30%的薄膜透过率显著下降到10%以下,退火前后均为P型薄膜。

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3 谭平恒,周霞,杨富华,BOUGEARD D,SABATHIL H,VOGL P,ABSTREITER G,BRUNNER K;p型掺杂Si/Ge量子点的电子拉曼散射(英文)[J];光散射学报;2004年01期
4 陈敏元;导电性有机聚合物的电解合成及其应用[J];高分子材料科学与工程;1989年02期
5 王荣顺,孟令鹏,赵成大;掺杂剂对聚乙炔性质影响的理论研究[J];高等学校化学学报;1992年06期
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8 傅玉洁,张红革,苏忠民,王荣顺;聚乙烯氮的电子结构[J];科学通报;1992年19期
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