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无耗GaAs MESFET单片混频器

陈晓明  
【摘要】:报道了一种无耗GaAsMESFET单片混频器的优化设计过程,实验与计算结果吻合较好。射频频率为11~11.5GHZ时,变频损耗小于2.5dB。

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