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超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究

周之斌  崔容强  黄燕  孙铁囤  陈东  
【摘要】:报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%~ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。

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1 周之斌,崔容强,黄燕,孙铁囤,陈东;超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究[J];固体电子学研究与进展;2000年02期
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