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冲电气公司开发的GaAs MESFET 36GHz 1/8分频器

盛柏桢  
【摘要】:正据日本《Semiconductor World》1991年第8期报道,日本冲电气工业公司已开发成采用GaAs p型埋层MESFET(BP-MESFET)的1/8动态型分频器.该产品采用分子束外延法生长薄膜,凹槽栅结构制作.芯片尺寸为1.3×1.5mm,最高工作频率为36GHz,耗散功率为0.18W.要实现这种工作频率,应做到以下几点:(1)FET

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