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GaAs MMIC和功率MESFET的激光通孔接地技术

戴永胜  
【摘要】:正 众所周知,在微波电路和某些器件中直流接地和微波接地是极为重要的。常用的方法有通孔接地和边缘接地两种。在GaAs MMIC和功率 MESFET中,由于芯片面积小,要求集成度高,一般均采用这两种方法。通孔接地比边缘接地更优越,它占用芯片面积小(孔径一般为40μm左右),并给电路布线带来极大的灵活性。低噪声GaAs MMIC FET放大器管芯源极采用通孔接地,可有效地减小源接地电感和接地线的损耗,从而改善放大器的增益和噪声性能。功率GaAs MESFET(尤其是内匹配多胞大功率GaAs MESFET)通孔接地除减小源接地电感外,还可降低热阻,从而提高器件性能。

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