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4GHz低噪声GaAs MESFET参数研究

俞土法  
【摘要】:本文论述4GHz低噪声GaAs MESFET在缩短栅长L,减小寄生电阻(R_s+R_g)的同时需减小等效噪声电阻R_n,以获得较理想的增益和噪声性能.本文还叙述了器件主要参数的控制,并指出在亚微米栅长时栅边缘效应对器件噪声系数的影响.

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