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H_2气氛中微量H_2O和O_2对硅外延生长温度限制的热力学分析

徐宝琨  
【摘要】:本文用热力学方法计算得出了H_2气氛中微量H_2O和O_2在硅衬底上产生SiO_2的临界值.计算结果对从事低温硅外延生长有一定参考价值.

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