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单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器

王福臣  茅经怀  俞土法  
【摘要】:正为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较大的进展.研制的单级单片低噪声FET放大器,芯片尺寸为1×1.2mm,在10.5~12.4GHz带宽内测试,噪声系数为3~3.5dB,相关增益为6.0dB.

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