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12GHz 1.5dB低噪声GaAs MESFET

陈克金  陈世鸯  俞土法  
【摘要】:本文叙述了12GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制造.用普通光刻技术制成了高性能GaAs MESFET.在12GHz下测得器件最小噪声系数为1.4dB,相关增益7.5dB.

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