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平面栅条状Schottky结容压特性

叶禹康  
【摘要】:正 人们在研究微波单片集成电路时,提出了平面栅条状Schottky结变容管。本文根据“椭圆柱面结耗尽层分析”结果,分析了平面栅条状Schottky结电容与偏压的关系。 平面栅条状Schottky结变容管示意于图1,图中电极A(长为l_a,宽为W)是Schottky势垒金属,电极B(长为l_b)与n-GaAs间呈欧姆接触,电极A、B间距为l_(ab)。显然,这种“栅状”变容管的制作与GaAs MESFET器件工艺类似。 如图1(b)所示,在电极A上外加一偏压V_A(负值)后,电极A下n-GaAs中即出现相应的耗尽层,假设完全耗尽,在椭圆坐标中(图2),外加偏压与耗尽层的关系可表示为

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