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β-SiC微粉中杂质碳的去除工艺研究

田欣伟  邓丽荣  陆树河  王晓刚  于庆芬  
【摘要】:借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800~900℃,氧化持续时间为1h。

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