THz量子级联激光器用材料的生长及器件制作
【摘要】:采用分子束外延法,生长了GaAs/Al_(0.17)Ga_(0.85)As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器,并按单面金属波导制备工艺制作了器件。材料的结构通过高分辨X射线衍射来确定。在温度为9~150K的范围内,测量了器件的Ⅰ—Ⅴ曲线。
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