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超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究

黄继颇  王连卫  高剑侠  沈勤我  林成鲁  
【摘要】:用超高真空蒸发Al膜,结合氮化后处理工艺在Si(100)衬底上制备了AlN晶态薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明:经过10000C30分钟氮化处理后,能形成具有(002)择优取向的AlN薄膜。

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