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不同衬底上LaN iO_3导电氧化物薄膜的制备和研究

李建康  姚熹  
【摘要】:通过MOD法和快速热处理过程,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了LaN iO3(LNO)导电氧化物薄膜。经XRD结构分析表明,所制备的LNO薄膜具有纯的钙钛矿结构,并且以(100)方向择优取向。经SEM和AFM分析表明,LNO薄膜具有表面均匀、无裂纹。经标准四探针法测试表明,LNO薄膜具有好的金属特性,其室温电阻率为7.6×10-4Ω.cm。铁电性能测试表明,LNO薄膜可以提高PZT铁电薄膜的剩余极化强度。

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