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V_(In)H_4在InP材料中的影响

孙聂枫  杨光耀  吴霞宛  曹立新  赵权  郭维廉  赵有文  孙同年  
【摘要】:在未掺杂和掺Fe的LEC In中用FT IR测试到VInH4 的存在。已经证实该缺陷在LEC -InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4 浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度分布是头部高 ,尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响 ,及其对InP热稳定性的影响。

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