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氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响

王连卫  黄继颇  林成鲁  郑玉祥  
【摘要】:SiC是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。SiC中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了SiC 的注入(70keV,剂量5 ×1013 至5 ×1015cm - 2) 损伤及其对SiC光学性质的影响。研究表明,SiC的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收(< 2.9eV),而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。SiC是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。SiC中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了SiC 的注入(70keV,剂量5 ×1013 至5 ×1015cm - 2) 损伤及其对SiC光学性质的影响。研究表明,SiC的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时,主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收(< 2.9eV),而在剂量较高时,对带间跃迁产生影响。

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