左手材料对谐振腔内部电磁场分布的影响

【摘要】：在谐振腔的设计过程中,由于填充介质引起的损耗以及模式干扰导致谐振腔内部电磁场分布的优化受到限制,因而使得设计高品质因数的谐振腔变得困难。根据"左手材料"的特殊性质,运用电动力学理论对谐振腔内部电磁场分布进行计算研究,通过high frequency structure simulator(简称HFSS)仿真软件对谐振腔内的场分布进行模拟。计算结果显示,左手材料的填充可以改善谐振腔内部电磁场的分布。相对于传统材料而言,左手材料的填充可以使谐振腔内部中心部位的电磁场分布集中、电磁场强度增加,其中,电场强度可达到3.5009×10-1 V/m,比真空情况提高了13%,比填充空气时提高了4%;磁场强度可达到5.8722×10-3 A/m,比真空时提高了156%,比填充空气时提高了134%,高频仿真器的仿真数据与以上结果相吻合。该方法克服了传统材料对谐振腔内电磁场分布优化的局限性,为设计新型的谐振腔提供了一定的理论指导作用。