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MgZnO薄膜的制备及其光电特性

邬小鹏  傅竹西  
【摘要】:采用射频磁控溅射用x=0.00~0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si(100)和石英衬底上生长一系列的MgxZn1-xO薄膜。用XRD、XPS、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用MgxZn1-xO薄膜在x≤0.325时具有单一(002)取向的六方结构,其禁带宽度Eg随x增加而增大,在薄膜表面入射光能量大于禁带宽度时有光电响应,并且在x=0.325时得到了禁带宽度为4.90eV的MgxZn1-xO薄膜。在x≥0.40时出现立方相结构,禁带宽度有所减小,说明此时已为混相薄膜。

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