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三温区坩埚下降法生长Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体

邱春丽  赵北君  朱世富  王智贤  李新磊  何知宇  陈宝军  唐世红  
【摘要】:CdZnTe晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响。根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体。通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104cm-2,电阻率为109~1010Ω.cm的Cd0.9Zn0.1Te单晶体。表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。

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