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低温制备Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜及其性能研究

王华  于军  王耘波  周文利  谢基凡  朱丽丽  
【摘要】:采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜。所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能.其介电常数和介电损耗100kHZ下分别为320和0.08,剩余极化Pt和矫顽场Ec分别为14μC/cm2和58kV/cm.+5V电压下漏电流密度低于 10-7A/cm2。107次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性。

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