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CVD法制备ZnS的生长率均匀性研究

赵康  刘正堂  鄢君辉  郑修麟  
【摘要】:采用化学气相沉积 ( CVD)法制备 Zn S块状多晶红外窗口材料。试验通过改变炉内压力、增加 Ar气稀释量以及改变 H2 S进气位置来研究沉积速率的均匀性。试验结果表明 ,炉内压力降低和增大 Ar气稀释量 ,可提高晶体在衬底上的沉积速率均匀性 ,但沉积速率下降。改变 H2 S进气位置 ,有效地改善了 H2 S气体的均匀分布 ,可提高沉积速率的均匀性 ,同时也提高沉积速率 ,并对显微组织和红外光学性能进行了观察测试。

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