收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

CoMnNi氧化物薄膜的电阻温度特性

谭辉  陶明德  韩英  
【摘要】:本文报导射频溅射CoMnNi多成分氧化物薄膜的电阻温度特性,并给出薄膜电阻率与溅射气氛中O_2含量和沉积时间的关系;讨论这种薄膜的退火特性。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 张华;周永宁;吴晓京;傅正文;;脉冲激光沉积CuF_2薄膜的电化学性能[J];物理化学学报;2008年07期
2 George A.Swartz,宋湘云;改善边缘形貌辐射加固MOS器件氧化物完整性的双温氧化工艺[J];微电子学;1987年03期
3 栾洪发,肖治刚,柯俊;Ham理论的验证及其应用[J];物理学报;1994年02期
4 张成勋;半导体器件辐照损伤机理及加固[J];微电子学与计算机;1980年06期
5 颜严;砷化镓片上产生氧化物-硅-氧化物夹角[J];激光与光电子学进展;2000年03期
6 ;无亲水天然氧化物的硅片直接粘合[J];微电子学;1994年06期
7 ;InSb红外CCD研制的一些设计考虑[J];红外技术;1979年02期
8 R.P.Vasquez;F.J.Grunthaner;董世川;;InSb与化学汽相淀积SiO_2间界面的X射线光电子能谱研究[J];红外技术;1984年03期
9 R.P.Vasquez;;InSb上化学汽相淀积SiO_2界面形成的X射线光电子谱研究[J];激光与红外;1985年03期
10 周洪英;;新技术可将氧化物与硅基整合[J];功能材料信息;2010年Z1期
11 孺子牛;;金属—氧化物—半导体集成电路(一)[J];微纳电子技术;1971年01期
12 余萍;陈善华;;液相沉积法的应用及发展[J];广东微量元素科学;2006年03期
13 陈裕权;;采用天然氧化物提高MOSFET截止频率[J];半导体信息;2008年05期
14 许洁;魏长平;贾坤;;Ca_(2.7)Sr_(0.3)Co_4O_9 和 Ca_(0.95)Sm_(0.05)MnO_3 热电材料的性能及器件(英文)[J];硅酸盐学报;2010年06期
15 徐小华;李群;游泳;刘义保;;非晶SiO_xN_y薄膜的发光特性研究[J];现代制造工程;2010年05期
16 刘翔;薛建设;贾勇;周伟峰;肖静;曹占峰;;金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展[J];现代显示;2010年10期
17 车会生;使用透明氧化物的紫外发光二极管[J];激光与光电子学进展;2002年06期
18 谢飞;刘美钥;;真空共晶技术的研究应用[J];电子工艺技术;2006年06期
19 虞益挺;苑伟政;梁庆;乔大勇;;薄膜残余应力对MEMS微型光栅性能的影响[J];纳米技术与精密工程;2007年02期
20 K. Hirabayashi;J. lwamura;川舸;;硅上HCl—O_2氧化物热生长的动力学[J];微纳电子技术;1974年10期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 王刚;江莞;白光照;;氧化物的含量对MoSi_2/氧化物基复合材料抗热冲击性能的影响[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
2 张群;;新型氧化物薄膜晶体管的研究进展[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
3 杨铭;施展;张群;;P型导电Ni_(0.9)Cu_(0.1)O透明氧化物半导体薄膜的研究[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年
4 娄向东;田圣军;姜聚慧;;含镧钙钛矿型复合氧化物的制备方法评介[A];第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会论文集[C];2000年
5 刘真泉;;掺磷或硼的无定形氢化硅薄膜结构的电子衍射法研究[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年
6 陈同来;李效民;陈立东;董睿;王群;于伟东;高相东;;与硅集成的La_(0.3)Ca_(0.7)MnO_(3+δ)薄膜及其电脉冲诱发可变电阻效应[A];科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集[C];2004年
7 李喜峰;王颖华;李桂锋;张群;黄丽;章壮健;;渠道火花烧蚀法制备p型透明氧化物半导体薄膜[A];中国真空学会2006年学术会议论文摘要集[C];2006年
8 赵慧;徐晨;霍文晓;赵林林;沈光地;邹德恕;;一种适用于薄膜结构的静电键合方法[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)[C];2005年
9 吕惠宾;戴守愚;陈正豪;周岳亮;金奎娟;程波林;何萌;郭海中;刘立峰;黄延红;杨国桢;;原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年
10 王立;莫春兰;熊传兵;汤英文;刘军林;方文卿;王小兰;刘卫华;周印华;江风益;;Si衬底InGaN大功率LED芯片制备[A];第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集[C];2010年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 梁建;新型结构半导体材料的制备与表征[D];太原理工大学;2005年
2 朱燕艳;Er_2O_3高k栅介质材料的分子束外延生长、结构及其物理特性[D];复旦大学;2006年
3 钱聪;纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2007年
4 周雪云;稀释磁性半导体研究[D];兰州大学;2009年
5 孙柏;PLD技术制备ZnO薄膜及其结构和发光性质研究[D];中国科学技术大学;2007年
6 方少杰;3d过渡金属掺杂有机小分子半导体的特性研究[D];山东大学;2012年
7 吴荣;用导电原子力显微镜研究锗硅量子点和量子环的形貌和电学特性[D];复旦大学;2007年
8 杨善迎;ZnO基稀磁半导体薄膜材料的PLD制备及其性质研究[D];山东师范大学;2012年
9 朱丹;新型表面传导电子发射阴极研究[D];清华大学;2009年
10 章闻奇;几种微电子材料的制备、表征与性能研究[D];南京大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 王璟璟;PLD制备ZnO薄膜结构和发光特性研究[D];曲阜师范大学;2006年
2 周勋;GaN薄膜结构的高分辨X射线衍射表征及其电学特性分析[D];电子科技大学;2008年
3 丁庆磊;980nm激发下稀土掺杂ZrO_2多晶粉末的强上转换发光[D];湘潭大学;2006年
4 赵学平;p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的制备与性能研究[D];北京工业大学;2009年
5 张莲莲;DBD-PECVD法制备CN薄膜的研究[D];大连理工大学;2009年
6 肖锋伟;磁控溅射法制备氮掺杂ZnO薄膜及其光学特性研究[D];西北大学;2009年
7 苏凤莲;PLD和MOCVD方法生长的ZnO薄膜结构及发光性能[D];安徽大学;2005年
8 詹为宇;特种模块封装工艺研究[D];电子科技大学;2008年
9 施展;p型Cu_(1-x)Ni_xO透明氧化物半导体薄膜的制备及性能分析[D];复旦大学;2009年
10 尹晓丽;Li、Na与Mg共掺杂ZnO薄膜的制备与性质研究[D];兰州大学;2009年
中国重要报纸全文数据库 前9条
1 记者 陈炳欣;强调环保议题 3M发布新款增亮膜[N];电子资讯时报;2006年
2 杨春;三井金属开发白光LED用荧光体[N];电子资讯时报;2008年
3 冯卫东;葡科学家制作出第一个“纸”晶体管[N];科技日报;2008年
4 冯晓伟;IC制造创新:关注特殊工艺 强化产业链合作[N];中国电子报;2008年
5 张伟;FSI全新无灰化、湿法光刻胶去除ViPR技术[N];电子资讯时报;2006年
6 红兵;中微高端芯片制造产品进入半导体主流设备市场[N];中国电子报;2008年
7 ;计算机有希望超高速[N];中国计算机报;2001年
8 ;Motorola展示4Mb硅纳米晶体存储器[N];计算机世界;2003年
9 冯卫东;IBM展示运行速度最快的石墨烯晶体管[N];科技日报;2010年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978