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a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用

赵颖  熊绍珍  王宗畔  孟志国  代永平  周祯华  张建军  姚伦  
【摘要】:本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中,Mo与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩散速率限制。互作用生成非晶态钼硅Mo:a-Si合金。它可阻止铝(Al)向a-Si中扩散,同时可改善a-SiTFT的接触特性。当用Al/Mo作a-Si薄膜晶体管(a-SiTFT)的源和漏电极时,可提高开关电流比达7~8个数量级。

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1 赵颖,熊绍珍,王宗畔,孟志国,代永平,周祯华,张建军,姚伦;a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用[J];光电子.激光;1999年02期
2 赵颖,熊绍珍,王宗畔,孟志国,代永平,周祯华,张建军,姚伦;a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用[J];光电子.激光;1999年02期
3 赵颖,熊绍珍,王宗畔,孟志国,代永平,周祯华,张建军,姚伦;a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用[J];光电子.激光;1999年02期
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