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SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究

刘技文  李娟  赵燕平  李延辉  李昌龄  许京军  
【摘要】:用射频磁控溅射及后退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了 SiC纳米晶(nc SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc SiC薄膜具有立方结构;样品经 800 ℃、1 000 ℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10 nm和20 nm左右;而1 200 ℃退火后,样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明,nc SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大;1 000 ℃退火后样品的发光峰在478 nm,800 ℃退火后发光峰在477 nm,800 ℃退火比1 000 ℃退火的样品发光强度高4倍。

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