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多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

王彩凤  李清山  胡波  李卫兵  伊厚会  
【摘要】:在电化学阳极氧化法制备的多孔硅(porous silicon,PS)衬底上用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD)在250°C和350°C下生长ZnS薄膜。XRD图样显示,制备的ZnS薄膜沿β-ZnS(111)方向择优生长,较高的生长温度下,衍射峰强度较大。SEM结果表明,250°C生长的ZnS薄膜表面疏松、不平整,这是由于衬底PS的粗糙结构所致,而350°C生长温度下,尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒,但总体变得平整致密。室温下的光致发光(PL)谱表明,350°C样品中ZnS的自激活发光强度高于250°C样品,而PS的红光强度低于250°C样品且峰位红移。把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加,在可见光区450~700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,ZnS/PS复合体系呈现较强的白光发射。

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