Ta_2O_5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究
【摘要】：采用密度泛函方法研究了以TaC l5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD)Ta2O5的初始反应机理.Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的"半反应",即TaC l5和H2O"半反应".两个"半反应"都经历了一个相似的吸附中间体反应路径.通过H钝化和羟基预处理硅表面反应能量的比较发现,TaC l5在羟基预处理硅的表面反应是热力学和动力学都更加有利的反应.另外,从能量上看,H2O的"半反应"不容易向生成产物的方向进行.
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