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基于双层界面修饰的高性能底栅底接触有机薄膜晶体管研究

谢应涛  欧阳世宏  王东平  朱大龙  许鑫  方汉铿  
【摘要】:一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面。这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数,然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面。结果显示场迁移率得到极大提高,其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1。

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