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a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究

吴春亚  张建军  李洪波  王庆章  王宗畔  赵颖  耿新华  孙钟林  
【摘要】:用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a-SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适,Ge含量不同的a-siGex∶H薄膜都可以被多晶化;随着Ge含量的增加,激光晶化阈值能量密度降低,耐退火能力也降低;在相同的激光晶化能量密度下,Ge含量越高的薄膜,激光晶化的效果越好,晶粒尺寸长得越大。

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