a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究
【摘要】：用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。
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石万全,姚德成,刘世祥,朱美芳,贺令渝,陆世勇,刘万忠,王金生;Nd~(3+):YAG连续激光束用于半导体连续激光退火的研究[J];激光杂志;1985年01期 |
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范得培;朱兵;陈南斗;;扩硼Si单晶激光退火的研究[J];南京大学学报(自然科学版);1985年01期 |
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范得培;朱兵;陈南斗;;扩硼Si单晶激光退火的研究[J];南京大学学报数学半年刊;1985年01期 |
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刘世杰,S.U.CAMPISANO,E.RIMINI;离子注入GaAs的脉冲激光退火[J];物理学报;1988年05期 |
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