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纳米花棒SnO_2的合成

高玉巧  辛旭  
【摘要】:二氧化锡是一种具有宽带隙为3.6e V的n型半导体材料。由于其独特的物理和化学特性,他的形貌合成科研工作者已经针对各种应用其进行了广泛的研究。本文以SnCl_4·5H_2O为锡源,通过水热法成功地合成了纳米花棒的SnO_2纳米材料,并XRD、SEM对合成的样品进行了表征。

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