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808nm半导体激光器的腔面反射率设计

杜伟华  杨红伟  陈国鹰  陈宏泰  李雅静  彭海涛  
【摘要】:通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。

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